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超低IQ 稳压LDO的动态性能参数分析

发布时间：2022-06-12 03:00:00来源：http://www.szxunrui.cn/news821460.html

超低IQ 稳压LDO的动态性能参数分析：

电子应用设计人员现今面临的一项极重要挑战是将电子系统能耗降至最低。为了达到此目的，大多数系统利用不同的低功率模式，帮助降低整体功耗。在利用不同工作模式时，系统供电电流差异极大，低者如休眠模式下仅为数微安（μA）或不足1微安，高者如完整功率模式下达数十毫安（mA）甚至数百毫安。

低压降线性稳压器（通常简称为稳压LDO）是任何电源系统的常见构建模块，而线性稳压器的选择对系统总体能耗有重要影响。不仅如此，系统设计常常要求稳压LDO不仅具有超低静态电流特性，还应当提供良好的动态性能，确保提供稳定及无噪声的电压输入端，适合敏感电路应用。这些要求还常常相互排斥，为IC设计人员带来切实的挑战。因此，市场上同时满足两方面要求的稳压LDO为数不多。

影响超低IQ稳压LDO稳压器动态性能参数主要有两项因素。一是使用的技术节点。迅瑞创芯的大多数超低IQ稳压LDO采用的是先进的CMOS或BiCMOS技术，并提供针对低功耗、高速电源管理IC优化的特定工艺流程。虽然恰当的技术选择必不可少，但很明显的是，这还不能确保稳压LDO稳压器具有良好的动态性能。确定最终性能的第二个关键是设计稳压LDO时应用的设计技术，而这来自于此领域的设计经验。迅瑞创芯在这个领域拥有40多年的经验，最新世代的器件同时提供超低噪声、良好的电源抑制比（PSRR）及超低IQ。为了详细阐明这一点，下文将探讨不同类型稳压器的动态性能。

关键词： 电源IC芯片,二合一锂电池保护芯片,稳压LDO,多节锂池保护芯片,DCDC升压IC,

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